北京芯力技术创新中心申请D2W双层图像传感器封装专利，使得像素节距变小而实现更好的传感性能
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2025-12-26 15:07:51
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国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司;清华大学申请一项名为“D2W双层图像传感器封装及其制备方法”的专利，公开号CN121218714A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种D2W双层图像传感器封装及其制备方法，采用D2W形式集成可见光和短波红外光电芯片的图像传感器封装结构，其中，上层是像素感知层，同时集成CMOS工艺可见光像素陈列芯片和铟镓砷工艺短波红外像素陈列芯片；下层是CMOS工艺逻辑处理芯片，CMOS工艺可见光像素阵列芯片和CMOS工艺逻辑处理芯片通过芯片到晶圆的铜铜混合键合方式实现垂直互连；CMOS工艺逻辑处理芯片上设计有焊盘，通过引线键合的方式将电信号输出到外部电路。利用本发明，能够保持两者各自的优点且不牺牲各自芯片自身性能，且使得像素节距变小而实现更好的传感性能。
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来源：市场资讯
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