德州仪器申请结晶衬底上非晶半导体固相外延法专利,形成分布式氧化硅夹杂层
创始人
2026-01-01 01:07:19
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国家知识产权局信息显示,德州仪器公司申请一项名为“结晶衬底上方的非晶半导体的固相外延法”的专利,公开号CN121237639A,申请日期为2025年6月。

专利摘要显示,本公开涉及结晶衬底上方的非晶半导体的固相外延法。一种半导体装置(200),其包括:半导体衬底(202);第一结晶硅层(204),其位于所述半导体衬底(202)上方;电子组件(206,208),其延伸到所述第一结晶硅层(204)中;第二结晶硅层(224),其位于所述电子组件(206,208)和所述第一结晶硅层(204)上方;及分布式氧化硅夹杂层(219),其位于所述第一结晶硅层(204)与所述第二结晶硅层(224)之间。

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来源:市场资讯

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