德州仪器申请具有位于栅极层之下和势垒层中掺杂区的半导体装置专利，提升器件性能
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2026-01-01 01:07:21
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国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有位于栅极层之下和势垒层中的掺杂区的半导体装置”的专利，公开号CN121241675A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开描述了一种半导体装置，其具有位于栅极层之下和势垒层中的掺杂区。在实例中，半导体装置(100)包含沟道层(106)、势垒层(108)和栅极层(120)。所述沟道层(106)在半导体衬底(102)上方，并且所述势垒层(108)在所述沟道层(106)上方。所述栅极层(120)在所述势垒层(108)上方，并且所述栅极层(120)掺杂有掺杂剂。所述势垒层(108)中的第一区(120)覆盖在所述沟道层(106)中的沟道区(C)上并位于所述栅极层(120)之下。所述第一区(120)具有第一浓度的所述掺杂剂。所述势垒层(108)中的第二区(A1)相对于所述第一区(120)横向安置，并且所具有的所述掺杂剂的浓度小于所述第一浓度。
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