晶合集成申请图像传感器制造方法专利，形成顶部被填充介质层覆盖的气隙_资源案例

晶合集成申请图像传感器制造方法专利，形成顶部被填充介质层覆盖的气隙

创始人

2026-01-15 13:08:54

0次

国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种图像传感器的制造方法及图像传感器”的专利，公开号CN121335247A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请公开了一种图像传感器的制造方法及图像传感器，图像传感器的制造方法包括：形成深沟槽隔离结构；在半导体衬底的第一表面形成介质层，并且形成从介质层表面向其内部延伸的第一沟槽，第一沟槽和深沟槽隔离结构相对；至少在第一沟槽的侧壁形成基底半导体层，其中，基底半导体层暴露出第一沟槽的底部；以基底半导体层为掩模，形成从第一沟槽的底部继续向介质层内部延伸的第二沟槽；基底半导体层膨胀氧化，形成完全填充第一沟槽的填充介质层，第二沟槽形成顶部被填充介质层覆盖的气隙；以及形成空气格栅结构，其中空气格栅结构包括介质层，介质层内部的气隙、以及覆盖气隙顶部的填充介质层，所述介质层围绕所述气隙以及所述填充介质层。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1569条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法投资沟槽介质图像传感器晶合专利基底气隙图像传感器介质层

上一篇：美光科技申请近存储器时间同步遥测记载专利，能够将经记载遥测数据发送到主机装置

下一篇：德龙激光成立光电公司，含显示器件销售业务

晶合集成申请图像传感器制造方法专利，形成顶部被填充介质层覆盖的气隙

相关内容

热门资讯