格科半导体申请图像传感器离子注入工艺专利，实现图像传感器生产效率以及低亮白点性能的提高_资源案例

格科半导体申请图像传感器离子注入工艺专利，实现图像传感器生产效率以及低亮白点性能的提高

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2026-01-20 19:10:00

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国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种图像传感器的离子注入工艺”的专利，公开号CN121358184A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器的离子注入工艺，包括：提供一离子注入机台；所述离子注入机台连续运行第一时间的第n离子注入工序，所述n取正整数；基于所述第一时间的第n离子注入工序，所述离子注入机台自动切源，连续运行第二时间的第n+1离子注入工序；所述第n离子注入工序、第n+1离子注入工序分别独立地选自P型离子注入工序、N型离子注入工序或D型离子注入工序中的任意一种；所述第n离子注入工序不同于所述第n+1离子注入工序；所述P型离子注入工序的离子束包含二氟化硼和/或硼，所述N型离子注入工序的离子束包含砷和/或磷，所述D型离子注入工序的离子束包含铟。通过上述工艺，本发明实现了图像传感器生产效率以及低亮白点性能的提高。

天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息134条，此外企业还拥有行政许可90个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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