广州增芯申请半导体结构和半导体结构的形成方法专利，能够减少边缘效应
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2026-01-21 19:09:35
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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构和半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121357919A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构和半导体结构的形成方法，结构包括：基底，基底包括第一有源区、第二有源区和齐纳二极管掺杂区，第一有源区包括有效区、以及环绕有效区的边缘区，齐纳二极管掺杂区位于有效区下方，第二有源区位于第一有源区的两侧；浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构位于基底内，第一有源区的四周、第二有源区的四周和齐纳二极管掺杂区的四周均环绕有浅沟槽隔离结构，并且，浅沟槽隔离结构的底面低于第一有源区、第二有源区和齐纳二极管掺杂区的底面；金属硅化物层，金属硅化物层至少位于有效区的顶面；硅化物阻挡层，硅化物阻挡层至少位于边缘区的顶面。本发明能够减少边缘效应、抑制局部掺杂分布变化，并保护器件击穿特性。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目51次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息193条，此外企业还拥有行政许可180个。
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来源：市场资讯
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