台亚半导体申请半导体结构及其制造方法专利，金属阻挡层能阻挡金属叠层在加热制程中扩散至金属焊垫层
创始人
2026-01-21 20:08:35
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国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121358073A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一基板、一半导体复合层及一金属电极结构。半导体复合层设置于基板上，金属电极结构设置于半导体复合层上，其包含一金属焊垫层、一金属阻挡层及一金属叠层。金属阻挡层具有一特定厚度用于阻挡金属叠层于一加热制程中突破金属阻挡层而扩散至金属焊垫层。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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