LX半导体申请半导体器件电阻器结构专利，提高电阻器性能稳定性
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2026-01-22 09:09:56
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国家知识产权局信息显示，LX半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件”的专利，公开号CN121357901A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件的电阻器结构和包括电阻器结构的半导体器件。根据实施方式的半导体器件的电阻器结构可以包括：半导体基板，其包括器件半导体层和电阻器半导体层；第一器件隔离区和第二器件隔离区，其分别设置在器件半导体层和电阻器半导体层上；以及电阻器多晶硅层，其设置在其中所述第二器件隔离区的一部分被去除的第一电阻器沟槽上。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
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