长鑫科技申请一种半导体结构及其形成方法专利，公开一种半导体结构及其形成方法
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2025-07-16 21:10:53
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金融界2025年7月16日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120321963A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：半导体衬底、堆叠结构和台阶接触结构。堆叠结构位于半导体衬底上。堆叠结构包括：沿垂直方向交替层叠的分隔层和复合层。半导体衬底包括：阵列区和外围区。堆叠结构在外围区形成台阶结构。台阶接触结构沿垂直方向延伸，且连接对应的台阶结构。位于外围区的堆叠结构还包括：电容器区；其中，电容器区的复合层包括：第一极板。位于外围区的复合层包括：连接结构；其中，同一层复合层中的多个第一极板，通过连接结构，连接至对应的台阶接触结构。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息453条，此外企业还拥有行政许可34个。
来源：金融界
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