安徽格恩半导体申请III族氮化物半导体激光器元件专利，提升光功率
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2025-07-18 15:38:49
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种III族氮化物半导体激光器元件”的专利，公开号CN120341696A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种III族氮化物半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层上方具有费米面拓扑层，所述费米面拓扑层包括第一费米面拓扑层、第二费米面拓扑层和第三费米面拓扑层。本发明通过特定设计的导带有效态密度分布和热导率分布形成垂直向下的能带移动改变费米面拓扑结构，降低电子自旋的无序性和不稳定性，降低价带中的态密度和增加跃迁概率来降低阈值电流密度，降低空穴迁移势垒，减少电子泄漏，提升有源层的电子空穴限域效应，增强受激辐射复合效率，从而提升光功率和斜率效率。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息487条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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