意法半导体申请制造集成电路方法及相应集成电路专利，涉及界定半导体衬底有源区横向隔离区
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2025-07-22 15:38:43
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金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于制造集成电路的方法和相应的集成电路”的专利，公开号CN120358746A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本公开涉及用于制造集成电路的方法和相应的集成电路。集成电路包括界定半导体衬底中的有源区的横向隔离区。沟槽被蚀刻，该沟槽在深度上竖直延伸到半导体衬底中，旨在穿过横向隔离区和有源区。横向隔离区的形成包括形成位于蚀刻穿过有源区的沟槽的位置处的牺牲横向隔离区。
来源：金融界
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