南昌大学申请Micro-LED微显示芯片及其制备方法专利，提高Micro-LED微显示芯片的可靠性和生产良率
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2026-01-10 16:08:23
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国家知识产权局信息显示，南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“一种Micro-LED微显示芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121310746A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明通过设置绝缘停刻层和保护层，在刻蚀外延层和金属层同时可有效防止刻蚀工艺中产生金属副产物附着于像素台面侧壁导致芯片漏电，提高Micro‑LED微显示芯片的可靠性和生产良率。本发明的制备方法包括以下步骤：在LED外延晶圆上制备绝缘停刻层和金属层；提供驱动基板，在驱动芯片上制备基板电极阵列；对准键合后去除衬底、刻蚀外延层，刻蚀区形成隔离槽；制备保护层；刻蚀隔离槽内的第一绝缘停刻层和金属层；制备钝化膜，刻蚀钝化膜形成电极通孔；在电极通孔上制备金属电极。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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