华为申请存储器、存储器制作方法、半导体器件及电子设备专利，能够提高存储器的存储密度
创始人
2026-01-19 11:37:52
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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“存储器、存储器的制作方法、半导体器件及电子设备”的专利，公开号CN121357878A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供了一种存储器、存储器的制作方法、半导体器件及电子设备。其中，存储器包括：衬底；设于衬底上的多层晶体管，每层晶体管均包括多个晶体管，每个晶体管均包括第一栅极、第二栅极、源极和漏极，源极和漏极相对设置，第一栅极和第二栅极均位于源极和漏极之间，任一层晶体管的第二栅极均相连，不同层的第二栅极之间绝缘隔离；设于衬底上的外围电路层，存储器中的每个晶体管的第二栅极均连接至外围电路层，外围电路层在衬底上的投影与至少一层晶体管在衬底上的投影具有重叠。本申请能够减少存储器的投影面积，从而提高存储器的存储密度。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1704个。
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