阿托梅拉申请包括具有超晶格的耗尽层的非易失性存储器专利，存储器装置可以包括在半导体基板上的存储器单元的阵列
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2026-04-02 19:22:20
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国家知识产权局信息显示，阿托梅拉公司申请一项名为“包括具有超晶格的耗尽层的非易失性存储器和相关方法”的专利，公开号CN121773718A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，存储器装置可以包括在半导体基板上的存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括在半导体基板上的具有第一导电类型的第一阱、与第一阱相邻并具有第二导电类型并且与第一阱限定耗尽层的第二阱、以及在耗尽层内的超晶格。超晶格可以包括堆叠的层组，每个层组包括堆叠的基础半导体单层以及（一个或多个）非半导体单层，所述堆叠的基础半导体单层限定基础半导体部分，所述（一个或多个）非半导体单层被约束在相邻的基础半导体部分的晶格内。陷阱源原子也可以在堆叠的层组内。每个存储器单元还可以包括与第二阱相邻并且在其间限定沟道的间隔开的源极区和漏极区，以及覆于沟道上的栅极。
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