武汉新芯申请电容器及其制造方法专利，将具有高品质因子和低品质因子的电容结构集成到同一芯片满足特殊需求
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2025-08-04 16:43:53
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金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“电容器及其制造方法”的专利，公开号CN120417468A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供一种电容器及其制造方法，电容器包括：基底；第一电容结构和第二电容结构，第一电容结构包括自下向上形成于基底上的第一下极板、第一介质层和第一上极板，第二电容结构包括自下向上形成于基底上的第二下极板、第二介质层和第二上极板，第一下极板包括自下向上的第一部分和第二部分，第二部分与第二下极板为同一工艺形成的同一材料，第一介质层与第二介质层为同一工艺形成的同一材料，第一上极板与第二上极板为同一工艺形成的同一材料，第一部分的材质的电阻小于第二部分的材质的电阻。本发明的技术方案实现了将具有高品质因子的第一电容结构和具有低品质因子的第二电容结构集成到同一芯片中，以满足特殊的验证和设计需求。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目213次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1753条，此外企业还拥有行政许可106个。
来源：金融界
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