新创元半导体申请薄金高耐蚀硬金工艺镍厚均匀性方法专利,实现镍层厚度的均匀控制
创始人
2026-02-28 21:18:34
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国家知识产权局信息显示,武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种薄金高耐蚀硬金工艺镍厚均匀性方法及系统”的专利,公开号CN121575461A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明公开了一种薄金高耐蚀硬金工艺镍厚均匀性方法,包括:对待电镀的铜基材依次进行除油、微蚀和酸洗预处理;使用脉冲电镀工艺在预处理后的铜基材上电镀镍磷合金层,其中镍磷合金层中磷的质量百分比大于10%,镍磷合金层的厚度控制在5‑15μm;在所述镍磷合金层上使用脉冲电镀工艺电镀硬金层,硬金层的厚度小于0.1μm;其中,所述电镀镍磷合金层与所述电镀硬金层均采用采用脉冲整流机,并通过改变电镀槽的槽体循环方式和挡板结构来控制镍厚均匀性。本发明的方法能够在保证耐蚀性与插拔性能的前提下,显著降低金层厚度,并实现镍层厚度的均匀控制。

天眼查资料显示,武汉新创元半导体有限公司,成立于2021年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目12次,财产线索方面有商标信息18条,专利信息41条,此外企业还拥有行政许可74个。

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来源:市场资讯

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