上海积塔半导体申请提高CMOS沟道迁移率的半导体结构及其制备方法专利，有利于先进工艺节点的性能提升_行业新闻

上海积塔半导体申请提高CMOS沟道迁移率的半导体结构及其制备方法专利，有利于先进工艺节点的性能提升

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2025-06-06 13:05:50

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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120111951A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，方法包括：于半导体衬底上依次生长第一应变材料层、第二应变材料层，设置隔离槽贯穿第二应变材料层和第一应变材料层并延伸至半导体衬底内，形成交替间隔分布的N型有源区和P型有源区；在P型有源区上方的第一应变材料层与第二应变材料层之间形成预设掺杂层。本发明利用第一应变材料层实现对N型有源区的拉应力；同时P型有源区上方的预设掺杂层使第一应变材料层晶格弛豫，实现对P型有源区的压应力；另外利用第一应变材料层的弛豫，只通过一次光刻掩膜同时实现对CMOS沟道迁移率的提高，有利于先进工艺节点的性能提升，并提高生产效率；最后利用简单工艺提高应力记忆技术的稳定性，大幅提高产品良率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1144条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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