长鑫科技申请半导体结构的制备方法及其结构专利，提高了半导体结构的器件性能
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2025-06-30 11:38:17
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金融界2025年6月30日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及其结构”的专利，公开号CN120224713A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法及其结构，通过提供衬底，衬底上包括用于形成晶体管的第一区域和第二区域，其中，第一区域用于形成源极/漏极，第二区域用于形成栅极，于部分第二区域内衬底上形成介电层，在预设温度下于衬底上未覆盖介电层的区域形成目标氧化层，形成暴露出第一区域的衬底的目标介质层，于暴露出的第一区域的衬底上依次形成包括第一目标元素的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层位于衬底与第二半导体层之间，第二半导体层包括第二目标元素，第一目标元素的晶格常数大于第二目标元素的晶格常数，去除目标介质层，至少于第二区域暴露出的衬底上形成栅极，从而提高了半导体结构的器件性能。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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