安徽长飞先进半导体申请半导体器件及制造方法等相关专利，提高了抗击穿能力
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2025-07-02 13:08:50
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN120239300A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件包括：半导体本体，第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧，埋层区位于阱区远离第一表面的一侧，第二区域由第一表面贯穿第一区域和阱区与埋层区接触；第一表面设置有栅极沟槽，且栅极沟槽由第一表面延伸至半导体本体中；第一绝缘层位于栅极沟槽的底面和侧面；阱区靠近第一绝缘层表面的晶向对应的沟道迁移率大于(0001)晶面对应的沟道迁移率；沟槽栅极，位于栅极沟槽内第一绝缘层远离半导体本体的一侧。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息190条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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