上海积塔半导体申请半导体结构及其形成方法专利，避免深层注入工艺注入第一掺杂离子至阱区下方时对阱区造成的晶格损伤_行业新闻

上海积塔半导体申请半导体结构及其形成方法专利，避免深层注入工艺注入第一掺杂离子至阱区下方时对阱区造成的晶格损伤

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2025-07-04 15:35:38

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金融界2025年7月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120261266A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括相对分布的正面和背面；注入第一掺杂离子至所述衬底内，形成第一掺杂区；采用外延生长工艺形成覆盖所述衬底的所述正面的外延层，所述外延层中包括位于所述第一掺杂区上方的阱区。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1837次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1173条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

企业方法显示注入信息离子导体工艺结构专利掺杂区杂离子外延层衬底阱区

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