无锡群联电子取得一种N沟MOSFET驱动电路专利，避免高侧MOS管和低侧MOS管的共态导通
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2025-07-19 19:08:20
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，无锡群联电子技术有限公司取得一项名为“一种N沟MOSFET驱动电路”的专利，授权公告号CN223124871U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种N沟MOSFET驱动电路，其包括高侧驱动电路、低侧驱动电路、逻辑控制电路和二极管；所述逻辑控制电路输入端连接N沟MOSFET驱动电路外引脚IN、逻辑控制电路的电源连接N沟MOSFET驱动电路外引脚VDD，逻辑控制电路的地连接N沟MOSFET驱动电路外引脚GND，逻辑控制电路的输出端HI连接高侧驱动电路的逻辑输入端，逻辑控制电路的输出端LI连接低侧驱动电路的逻辑输入端。本实用新型采用逻辑控制电路产生死区控制的两个逻辑信号HI和LI，分别控制高侧驱动电路和低侧驱动电路，实现了在电源调制器系统应用中只提供一个输入逻辑控制的问题，既避免高侧MOS管和低侧MOS管的共态导通，也简化了系统应用。
天眼查资料显示，无锡群联电子技术有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡群联电子技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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