金融界2025年7月19日消息,国家知识产权局信息显示,无锡群联电子技术有限公司取得一项名为“一种N沟MOSFET驱动电路”的专利,授权公告号CN223124871U,申请日期为2024年09月。
专利摘要显示,本实用新型提供了一种N沟MOSFET驱动电路,其包括高侧驱动电路、低侧驱动电路、逻辑控制电路和二极管;所述逻辑控制电路输入端连接N沟MOSFET驱动电路外引脚IN、逻辑控制电路的电源连接N沟MOSFET驱动电路外引脚VDD,逻辑控制电路的地连接N沟MOSFET驱动电路外引脚GND,逻辑控制电路的输出端HI连接高侧驱动电路的逻辑输入端,逻辑控制电路的输出端LI连接低侧驱动电路的逻辑输入端。本实用新型采用逻辑控制电路产生死区控制的两个逻辑信号HI和LI,分别控制高侧驱动电路和低侧驱动电路,实现了在电源调制器系统应用中只提供一个输入逻辑控制的问题,既避免高侧MOS管和低侧MOS管的共态导通,也简化了系统应用。
天眼查资料显示,无锡群联电子技术有限公司,成立于2018年,位于无锡市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡群联电子技术有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目11次,专利信息1条,此外企业还拥有行政许可6个。
来源:金融界