朗田亩半导体申请芯片烧录方法专利，可通过增加分段写入长度提高固件烧录速度
创始人
2026-01-10 16:08:27
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国家知识产权局信息显示，深圳朗田亩半导体科技有限公司申请一项名为“一种芯片烧录方法及装置”的专利，公开号CN121300814A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请实施例了提供了一种芯片的烧录方法及装置，用于解决芯片固件的自动化烧录场景中，烧录工时长的问题。该方法包括：开始烧录时，烧录器从烧录器的固件存储器中获取待烧录固件；固件存储器预先获取了上位机发送的待烧录固件；上位机与烧录器连接；将烧录固件载入待烧录芯片的静态随机存取存储器SRAM，通过SRAM，将待烧录固件写入目标快闪存储器Flash中；SRAM缓存的字节大小大于或等于目标Flash的页编程单位对应的字节大小；目标Flash为待烧录芯片中的Flash。SRAM具有高速缓存，且一次缓存的字节数大于FIFO一次缓存的字节数，因此采用SRAM烧录，可以通过增加分段写入长度，提高固件烧录速度。
天眼查资料显示，深圳朗田亩半导体科技有限公司，成立于2013年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳朗田亩半导体科技有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可5个。
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