北京芯力技术创新中心申请芯片到晶圆混合键合方法专利，能够提升芯片良率
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2026-02-11 12:12:48
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国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司申请一项名为“芯片到晶圆混合键合方法及半导体器件”的专利，公开号CN121487636A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种芯片到晶圆混合键合方法及半导体器件，方法包括：将以铟镓砷为代表的作为第二代半导体晶圆的来料晶圆切割为多个单颗芯片，然后重新排列至载体硅晶圆上，形成重组的铟镓砷芯片+晶圆；将重组的铟镓砷芯片+晶圆作为整体，与读出电路晶圆进行晶圆级别对准混合键合，然后运用退火炉对堆叠晶圆进行退火工艺来增强整体的键合强度；通过解键合工艺将铟镓砷芯片背面的载体晶圆移除；对砷化镓传感器芯片进行减薄，形成超薄膜层，以使可见光能够穿透lnP层，到达lnGaAs层；通过部分填充型最后制作导电孔/焊垫TSV工艺，实现从读出电路背面将堆叠芯粒的电性引出，形成晶圆级铟镓砷传感器芯片。利用本发明，能够提升芯片良率、设计灵活性及材料多样性。
天眼查资料显示，北京芯力技术创新中心有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本65051.5464万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯力技术创新中心有限公司参与招投标项目465次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息68条，此外企业还拥有行政许可59个。
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来源：市场资讯
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