铠侠申请半导体装置及半导体装置的制造方法专利，能够降低沟道层与下部电极的接触电阻
创始人
2026-03-22 03:08:45
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN121712061A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明的实施方式提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置能够降低沟道层与下部电极的接触电阻。本发明的实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1绝缘层，设置于第1电极上；栅极电极，设置于第1绝缘层上；第2绝缘层，设置于栅极电极上；第2电极，设置于第2绝缘层上；沟道层，一端部连接于第1电极，另一端部连接于第2电极；以及栅极电极，设置于沟道层与栅极电极之间；且在沟道层中，在第1绝缘层的层厚方向的两端部之间的第1高度位置，与层厚方向交叉的第1方向的长度从栅极电极侧朝向第1电极侧不连续地变大。
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