三安集成电路取得电容连接结构专利，避免水汽入侵导致的芯片边界电容失效
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2025-07-29 15:13:12
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司取得一项名为“电容连接结构及集成芯片”的专利，授权公告号 CN223168645U，申请日期为 2024 年 08 月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种电容连接结构，其第一金属层与半导体基底直接接触，第一金属层包括第一极板，第二金属层包括分隔的第二极板和第一连接部，第二极板与第一极板之间通过第一介质层间隔形成MIM电容，第一连接部通过第一介质层的开口与第一极板电性连接；第一极板通过包含第一连接部的第一走线引出，第二极板通过第二走线引出，第一极板及第一走线作为电容的低电平端，第二极板及第二走线作为电容的高电平端。本实用新型还公开了包括上述电容连接结构的集成芯片。将与半导体基底直接接触的金属层作为电容的低电平端，使得与半导体基底相接触的电容金属界面具有较小的电应力，避免了水汽入侵导致的芯片边界电容失效，增强可靠性。
天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目86次，专利信息337条，此外企业还拥有行政许可105个。
来源：金融界
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