长江存储申请半导体结构及其制造方法、半导体器件专利，提供一种半导体结构及其制造方法、半导体器件
创始人
2025-07-29 15:13:16
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、半导体器件”的专利，公开号CN120388936A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、半导体器件。所述方法包括：在第一介质层上形成第一阻挡层；所述第一阻挡层包括阻挡子层，所述阻挡子层彼此之间隔离开；形成覆盖所述第一介质层和所述第一阻挡层的第二介质层；刻蚀形成贯穿所述第二介质层的凹槽；所述凹槽底部暴露出所述阻挡子层；形成覆盖所述凹槽侧壁的第二阻挡层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
来源：金融界
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