6月13日，芯聚能半导体官微宣布，其在碳化硅功率半导体领域实现了关键性飞跃，公司自主设计的车规级SiC芯片已正式规模化导入主驱动模块产线，标志着国内首次成功实现“芯片设计-模块制造-整车验证”全链条自主可控，并已批量上车应用。

图片来源：芯粤能

这一成就的背后，是芯聚能与芯粤能的深度协同与长期技术积累。芯聚能凭借其在新能源汽车主驱模块领域累计超过45万个的丰富交付经验，奠定了坚实的芯片筛选测试与工艺质量管控基础。此次量产的主驱模块，正是搭载了由芯粤能半导体制造的SiC芯片。这些芯片和模块通过了从芯片、模块、电驱系统到整车的全产业链车规级验证，不仅获得了多个主驱项目定点，更已进入大规模交付阶段。

图片来源：芯粤能

芯粤能强调，这一突破在激烈竞争中实现了关键技术自主可控，构建了碳化硅功率半导体的车规级保障体系，旨在通过技术整合优化产品性能、可靠性和成本效益，为客户提供强大竞争力。芯聚能也将以此为契机，深化SiC技术创新，提供高可靠性功率半导体解决方案。

芯粤能半导体研发副总裁相奇在2025年3月接受《广州日报》专访时曾预言，2025年将是国产碳化硅芯片量产上车的“元年”，芯粤能的产品有望在上半年上车，这一规划如今已成为现实。

芯粤能作为首个通过国家重大项目审批的大规模碳化硅芯片制造项目，规划了一期6英寸、二期8英寸SiC芯片年产能各24万片，产能规模全球领先。公司自建厂伊始便对标先进硅基制造体系，配备全自动化设备，确保了产品在可靠性、稳定性方面的优势。

近年来，芯粤能持续加大研发投入，成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台，并已通过可靠性测试。该平台采用自主知识产权的沟槽MOSFET结构，显著降低了导通电阻、提高了电流密度，并在确保可靠性的同时突破了平面MOSFET的性能瓶颈，有效降低了成本并使性能接近国际先进水平。

芯粤能半导体研发副总裁相奇表示，未来SiC芯片价格的下降将加速对IGBT的替代，尤其是在新能源汽车高压快充技术（800V以上电压系统）领域，SiC芯片将因其卓越的耐高温和稳定性而成为不可替代的选择。

（文/集邦化合物半导体整理）

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