国网上海电力、北京智慧能源研究院申请抗浪涌的低势垒碳化硅MOSFET结构及制备方法专利，显著提升器件的电流导通能力
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2025-05-17 10:07:49
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，国网上海市电力公司、北京智慧能源研究院申请一项名为“一种抗浪涌的低势垒碳化硅MOSFET结构及制备方法”的专利，公开号CN119997560A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种抗浪涌的低势垒碳化硅MOSFET结构及制备方法，其包括至少一个MOSFET单元。其中，MOSFET单元设有衬底和外延层；外延层上设有沟道状的JFET区，其两侧均设有P阱区和沟道区。P阱区上设有N型掺杂区和P型掺杂区。外延层上还设有栅极结构；栅极结构中设有栅多晶硅和源多晶硅，栅多晶硅与源多晶硅通过栅氧化层隔开，并呈插指结构。本发明结构简单、工艺成本低，通过将部分传统的P型沟道改为Nbase区，达到了反向单极导通效果；同时，与传统利用低势垒二极管结构的MOSFET相比，利用栅/源多晶插指分布结构，显著提升了器件的电流导通能力，降低了导通损耗，使其在浪涌工况下，器件有更好的电流分布，提升了器件的抗浪涌能力。
来源：金融界
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