长鑫集电取得半导体结构及其形成方法专利
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2025-07-18 09:09:04
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，授权公告号CN120033142B，申请日期为2025年04月。
天眼查资料显示，长鑫集电（北京）存储技术有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4481039.58万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫集电（北京）存储技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目138次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息38条，此外企业还拥有行政许可1242个。
来源：金融界
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