中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，降低了形成通槽的难度_资源案例

中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，降低了形成通槽的难度

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2025-07-21 11:38:14

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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120343947A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括提供基底，基底上形成有第一牺牲层和位于第一牺牲层上的沟道叠层，沟道叠层包括多个沟道层和位于沟道层之间的第二牺牲层，基底上形成有横跨沟道叠层的栅极结构；去除栅极结构两侧的沟道叠层和第一牺牲层，形成暴露基底顶部的凹槽；形成凹槽后，横向去除部分宽度的第二牺牲层，在沟道层之间形成与凹槽相通的内沟槽；在凹槽底部形成至少覆盖第一牺牲层部分侧壁且暴露沟道层端部的保护层；在内沟槽中形成内侧墙；形成内侧墙后，去除保护层和第一牺牲层，形成与凹槽相通的通槽；在通槽中形成暴露沟道层端部的底部隔离层；在凹槽中形成源漏掺杂层。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

来源：金融界

企业制造方法显示降低中芯国际导体凹槽结构专利沟道层叠层沟道牲层

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