无锡尚积半导体申请PVD碳膜设备颗粒控制方法专利，显著降低腔体内因溅射碳膜积累的碳颗粒
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2025-07-21 11:11:28
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金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法”的专利，公开号CN120330673A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明提供一种PVD碳膜设备的颗粒控制方法，包括以下步骤：步骤S1、在基底上溅射碳膜；步骤S2、在靶材表面形成一层碳化硅钝化层；步骤S3、碳膜颗粒与氧气反应并被清除；步骤S4、恢复靶材表面状态至初始状态；步骤S5、重复步骤S1‑S4。本发明在基底上溅射形成碳膜后，在靶材表面形成一层碳化硅钝化层，这使得通过氧气在等离子体中与碳颗粒发生反应时，碳靶本身不会发生反应而被消耗，可以有效降低靶面的消耗，若无钝化层，后续通入氧气与碳颗粒发生反应时则同样使得靶面被消耗。本发明的颗粒控制方法能够显著降低腔体内因溅射碳膜过程中真空腔体内逐渐积累的碳颗粒。
天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2095.4838万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息120条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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