晶合集成等取得双栅MOS结构及其制备方法专利
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2025-08-20 15:36:55
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金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“双栅MOS结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN119907290B，申请日期为2025年04月。
天眼查资料显示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成（北京）科技有限公司专利信息220条，此外企业还拥有行政许可1个。
合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1197条，此外企业还拥有行政许可21个。
来源：金融界
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