智创芯源申请半导体结构制备方法专利，提升半导体结构可靠性
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2026-01-17 16:10:58
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国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121335275A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：外延层，外延层包括元件区和围绕元件区的边缘区；边缘区具有开口，开口自外延层的第一表面向外延层内延伸；刚性应力匹配层，覆盖开口的侧壁表面和底壁表面，且延伸至边缘区的部分外延层的第一表面；柔性应力吸收层，位于刚性应力匹配层背离外延层的一侧；应力缓冲层，覆盖柔性应力吸收层背离外延层的一侧表面。使得半导体结构的可靠性得到提升。
天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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