江苏第三代半导体研究院申请一种半导体外延结构及其制备方法专利，提高第一p型氮化物层的空穴浓度_资源案例

江苏第三代半导体研究院申请一种半导体外延结构及其制备方法专利，提高第一p型氮化物层的空穴浓度

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2026-01-17 17:08:27

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国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN121358071A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件。该半导体外延结构包括依次设置的衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，p型半导体层包括第一p型氮化物层，其沿远离发光层的方向设置有至少一个P型势垒层，P型势垒层包括沿远离发光层的方向依次设置的P型势垒前层、局域结构插入层和P型势垒后层；局域结构插入层包括第一微结构与第二微结构，P型势垒前层与后层接触的表面具有第一凹槽，第一凹槽内设置有第一微结构；P型势垒后层与前层接触的表面具有与第一凹槽对应的第二凹槽，第二凹槽内设置有第二微结构。第一微结构、第二微结构之间因带隙差异能够形成极化效应，从而形成二维空穴气，提高第一p型氮化物层的空穴浓度。

天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息378条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法氮化物投资半导体空穴外延凹槽结构专利势垒发光层

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