晶合集成申请半导体结构及其制造方法专利，显著降低刻蚀对栅极上方及侧墙硬掩膜的消耗
创始人
2026-01-17 18:07:03
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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121357981A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构和侧墙结构，所述侧墙结构位于所述栅极结构的两侧，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；对所述源漏区进行湿法预刻蚀，形成第一凹槽；对所述第一凹槽进行干法刻蚀，形成第二凹槽；对所述第二凹槽进行湿法刻蚀，形成西格玛沟槽；在所述西格玛沟槽中进行锗硅外延生长，形成锗硅外延层。该方法可显著降低刻蚀对栅极上方及侧墙硬掩膜的消耗，保护栅极上方的硬掩膜，还可以控制锗硅关键尺寸的一致性。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1569条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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