三安半导体取得半导体器件专利，有利于提升器件的性能和可靠性
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2026-01-17 23:09:42
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国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN223810087U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型实施例提供一种半导体器件，包括：半导体基底，具有有源区和位于有源区外侧的外围区域；场氧层，设置在半导体基底上并暴露出有源区；金属电极层，设置在有源区并与半导体基底形成电接触、且从有源区朝向外围区域延伸至场氧层的背离半导体基底的一侧以与场氧层部分重叠，其中金属电极层具有上表面和下表面，金属电极层的与场氧层重叠的区域形成有自上表面贯穿至下表面的镂空部，场氧层的对应镂空部的部分设置有未贯穿场氧层且与镂空部相连通的凹槽；以及钝化层，设置在场氧层上、并从外围区域朝向有源区延伸至覆盖金属电极层且暴露出至少部分上表面。通过设置所述镂空部和与其相连通的所述凹槽，有利于提升器件的性能和可靠性。
天眼查资料显示，湖南三安半导体有限责任公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南三安半导体有限责任公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目64次，专利信息428条，此外企业还拥有行政许可146个。
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来源：市场资讯
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