无锡尚积半导体申请非制冷红外探测器功能层及其制备方法专利，具有较高的TCR性能_资源案例

无锡尚积半导体申请非制冷红外探测器功能层及其制备方法专利，具有较高的TCR性能

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2026-01-22 02:07:53

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国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法”的专利，公开号CN121344531A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明属于功能材料制备技术领域，具体涉及一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法。本发明的功能层从下至上依次包括第一介质层、第二介质层、热敏电阻层、第一保护层和第二保护层；第一、第二介质层、第一和第二保护层均为氮化硅，热敏电阻层为氧化钒；第一介质层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为0~1000Å；第二介质层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å；热敏电阻层采用物理气相沉积法形成，厚度为600~1000Å；第一保护层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å；第二保护层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为0~1000Å。本发明的非制冷红外探测器功能层具有较高的TCR性能。

天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2166.4515万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息178条，此外企业还拥有行政许可16个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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