近日，一支中国的科学家团队就顺利地将全球首款的二维半导体的芯片“无极”研制成功，这个“无极”的二维半导体的厚度都仅仅只有0.65纳米，甚至都快要小的和一根人的头发的直径的十万分之一的细了，可就是这样一个微小的“无极”却能以每秒的42亿次的超高的速度就能将我们的运算都给完成了。

这项突破被业界形容为“在豆腐上雕花”，不仅绕过了西方对极紫外光刻机的技术封锁，更在能耗和性能上碾压传统硅基芯片，为我国半导体产业开辟了一条全新的赛道。

以仅三层的二硫化钼的二维半导体为核心的这一新型的芯片，彻底地打破了传统的半导体的厚度的极限，具有了前所未有的巨大的发展潜力。

相比传统硅基芯片，二维芯片的电子迁移速度提升五倍，待机功耗却降低至五分之一，但这也意味着未来军用设备的续航能力将迎来一场前所未有的颠覆——将可望在“充电一刻钟”内就能“续航一个月”。

而其更大的突破在于，即使在极端的零下40摄氏度至200摄氏度的恶劣的环境下也能保持稳定的工作状态，对于那些将要深入大洋的深海探测器或将要升空的太空航天器来说，其都能凭借其超强的适应性大大地提高了执行高难度的任务的能力。

制造工艺的突破同样是这场革命的重点。凭借对原子级的材料结构的“微妙的”照射下，才将其所携带的能量控制的接近日光灯的级别，从而避免了对其所构成的原子级的材料的结构的不必要的损伤。

而人工智能的介入更让生产效率飙升——AI算法在72小时内筛选出百万级参数组合，将芯片良品率推至99.77%的惊人水平。

这种“AI驱动+原子级调控”的双引擎模式，让中国在芯片领域首次实现从追赶到领跑的跨越。

军事应用前景尤为值得关注，二维芯片的轻薄特性可使无人机、单兵装备的体积缩小一半，同时提升算力10倍以上，在模拟测试中，搭载该芯片的雷达系统响应速度提升至微秒级，而功耗仅为传统设备的20%。

而其作为太空武器的天然的“盔甲”也就为其提供了极高的抗辐射的能力，不需要像地面上的那些厚重的屏蔽装置就能很好的抵御宇宙中各种强大的射线的干扰。有分析指出，这项技术可能率先应用于我国新一代高超音速飞行器的导航模块中。

伴随全国首条二维半导体的示范工艺线的在上海的正式启动，二维半导体的国产化也即将迈入了“落地”行动的新阶段，据悉该线将于2026年实现从零到一的全过程的通线生产，预计2028年将实现量产，到2030年将实现大规模的量产，对推动我国的二维半导体的产业化起到至关重要的作用。

团队负责人包文中透露，未来将通过“70%硅基产线改造+30%自主工艺”的模式快速推进产业化。尽管在短期内二维的芯片都难以真正的将硅基的通用计算的领域的地位所取代，但其却在低功耗、高灵活的军事特种的场景中却已展现出了对传统的游戏规则的挑战和颠覆的潜力。

从实验室到战场，中国芯片的这次“换道超车”证明了一点：突破技术封锁的关键不在于跟随对手的规则，而是重新定义赛道。

而西方的高科技尚在为2纳米的硅基芯片的良率而东山再起之时，我们就已经用0.65纳米的二维薄片的新技术，开启了下一代的信息战装备的先河。