爱思开海力士申请电阻式存储单元等相关专利 可通过导电丝改变电阻
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2025-07-05 12:08:43
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金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“电阻式存储单元、包括其的电阻式存储阵列及其制造方法”的专利，公开号CN120264769A，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本公开涉及电阻式存储单元、包括其的电阻式存储阵列及其制造方法。一种电阻式存储单元可以包括下电极、上电极、可变电阻层和电荷旁路层。上电极可以基本上垂直于下电极。可变电阻层可以介于下电极和上电极之间。可变电阻层可以具有基于下电极和上电极之间的电场通过导电丝改变的电阻，导电丝可以包括可逆地生成的氧空位。当可以高于施加到上电极的编程电压的电压可以被施加到下电极时，电荷旁路层可以包括多个不连续的垂直晶界和连接在不连续的垂直晶界之间的多个水平晶界。
来源：金融界
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