广东气派科技申请一种共漏极双MOSFET芯片封装结构专利，具有体积小的优点
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2025-07-07 14:15:21
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金融界2025年7月7日消息，国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司申请一项名为“一种共漏极双MOSFET芯片封装结构”的专利，公开号CN120264841A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明提供了一种共漏极双MOSFET芯片封装结构，其包括引线框架基岛、设置于所述引线框架基岛相对两侧的多个引线框架引脚、堆叠于所述引线框架基岛上的第一MOSFET芯片和第二MOSFET芯片以及将所述引线框架基岛、所述多个引线框架引脚、所述第一MOSFET芯片和所述第二MOSFET芯片包裹的塑封体，所述多个引线框架引脚包括设置于所述引线框架基岛一侧的引线框架第二S极引脚和设置于所述引线框架另一侧的引线框架第一G极引脚、引线框架第二G极引脚，所述引线框架基岛、所述引线框架第一G极引脚、所述引线框架第二G极引脚、所述引线框架第二S极引脚的外表面都位于同一平面上，并且外表面都暴露于所述塑封体外。
天眼查资料显示，广东气派科技有限公司，成立于2013年，位于东莞市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东气派科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，专利信息245条，此外企业还拥有行政许可64个。
来源：金融界
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