万国半导体申请源区嵌入异质外延的功率mosfet器件及其制作方法专利，降低功率mosfet器件的导通电阻
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2025-07-08 15:42:09
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金融界2025年7月8日消息，国家知识产权局信息显示，重庆万国半导体科技有限公司申请一项名为“源区嵌入异质外延的功率mosfet器件及其制作方法”的专利，公开号CN120282477A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种源区嵌入异质外延的功率mosfet器件及其制作方法，包括：在硅衬底上生长外延层，并制作沟槽栅结构；在外延层的上部注入形成体区；通过各向异性蚀刻工艺在预定区域蚀刻形成源极凹槽；通过生长异质外延对源极凹槽进行填充，形成源区；制作源区接触，在源区接触的底部形成欧姆接触区；完成后续制作工艺。本发明中，采用嵌入异质外延的方式形成源区，利用异质外延材料和硅材料不同的晶格常数产生所需的弹性形变，对源漏方向的导电沟道附近的硅施加相应的局部应力，从而提高源漏方向的截流子迁移率，进一步降低功率mosfet器件的导通电阻，减少功耗。
天眼查资料显示，重庆万国半导体科技有限公司，成立于2016年，位于重庆市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析，重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可19个。
来源：金融界
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