早盘存储芯片概念延续强势，消息面上，美股闪迪涨8%，再创历史新高。花旗集团将闪迪目标股价从280美元上调至490美元，将希捷科技目标股价从320美元上调至385美元。此外，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。根据TrendForce调查，预估整体一般型DRAM合约价将季增55-60%，预计各类NAND Flash产品合约价持续上涨33-38%。

华福证券指出，美股存储链不断创新高，存储涨价开始逐步兑现业绩。AI数据中心投资推动高端存储芯片需求，内存大周期持久性或超预期。存储芯片需求的激增是由像谷歌、微软、亚马逊、Meta和OpenAI这样的科技巨头推动的，它们向AI数据中心的投资推动了高性能DRAM的需求。预计到2030年，HBM市场的规模将增长两倍，达到1000亿美元。此外，随着AI趋势转向推理应用，通用型DRAM的需求也在增长。DRAM和NAND闪存的价格上涨预计将持续到2026年。

截至2026年1月21日 09:39，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)上涨0.78%，成分股耐科装备上涨4.53%，京仪装备上涨3.00%，中微公司上涨2.29%，华海诚科上涨2.25%，拓荆科技上涨1.86%。科创半导体ETF鹏华(589020)上涨0.26%，最新价报1.53元。

科创半导体ETF鹏华紧密跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，上证科创板半导体材料设备主题指数选取科创板内业务涉及半导体材料和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板半导体材料和设备上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2025年12月31日，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)前十大权重股分别为拓荆科技、华海清科、沪硅产业、中微公司、中科飞测、安集科技、芯源微、天岳先进、华峰测控、盛美上海，前十大权重股合计占比74.05%。

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