金融界2025年8月16日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“高介电常数金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法”的专利,公开号CN120500057A,申请日期为2025年04月。
专利摘要显示,本发明提供一种高介电常数金属‑绝缘体‑金属电容器,包括衬底;形成在衬底上的底部金属电极;形成在底部金属电极上的介质层;以及形成在介质层上的顶部金属电极;其中,介质层为包含N个基本单元的纳米薄层结构,N为大于1的整数,每个基本单元包括依次堆叠的第一高介电常数材料层、第二高介电常数材料层和第一高介电常数材料层。本发明实现了在高电容密度和高可靠性(低漏电流、高击穿电压)之间的良好平衡与优化,整体性能优于传统的单层或简单三明治结构。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2938次,专利信息1761条,此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目915次,财产线索方面有商标信息39条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可431个。
来源:金融界