长鑫科技申请存储器结构及刷新方法相关专利，避免修复虚弱单元带来的负面影响_电子技术

长鑫科技申请存储器结构及刷新方法相关专利，避免修复虚弱单元带来的负面影响

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2025-08-16 16:22:39

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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储器结构、刷新方法及存储器”的专利，公开号CN120496600A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种存储器结构、刷新方法及存储器，其中，存储器结构包括：刷新存储电路，设置于存储控制器中，用于存储补充刷新地址，补充刷新地址用于指示保存电荷能力存在缺陷的存储单元；刷新寄存器，设置于多个存储块的每一存储块中；其中，存储器结构在上电过程中，刷新存储电路将补充刷新地址传输至对应的刷新寄存器中；每一存储块被配置为，基于存储控制器下发的全存储体刷新命令，在执行全存储体刷新命令进行刷新的过程中，并对刷新寄存器中存储的补充刷新地址执行刷新，以避免修复虚弱单元带来的负面影响。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1081次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息473条，此外企业还拥有行政许可34个。

来源：金融界

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