甬矽半导体申请5D衬底封装结构和封装方法专利，缓减电迁移
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2025-08-19 22:13:31
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金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“5D衬底封装结构和封装方法”的专利，公开号CN120511249A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本申请提供的一种2.5D衬底封装结构和封装方法，涉及半导体封装领域。该2.5D衬底封装结构包括中介层、缓冲部、第二电连部和凸块。中介层上设有布线层和与布线层电连接的第一电连部，缓冲部设于第一电连部远离布线层的一侧。第二电连部设于缓冲部远离第一电连部的一侧；第二电连部与第一电连部电性连接。凸块位于第二电连部远离缓冲部的一侧，并电性连接于第二电连部。通过设置缓冲部，能够减小凸块和第一电连部的接触面积，缓减电迁移，以及缓冲部能提高结构支撑性和缓冲性能，可吸收贴装压力避免第一电连部产生裂纹。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司参与招投标项目34次，专利信息188条，此外企业还拥有行政许可14个。
来源：金融界
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