万国半导体申请具有部分镀层引线侧面的半导体封装及其制造方法专利，提高可焊性
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2025-08-20 20:10:40
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金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“具有部分镀层引线侧面的半导体封装及其制造方法”的专利，公开号CN120511252A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，一种半导体封装，包括引线框架、芯片和模制封装。引线框架包括一个或多个管芯焊盘和多个引线。多个引线中的每一个引线都包括一个基部构件和一个突出构件。多个引线中的每一个引线的突出构件的端面的宽度都小于相应基部构件的宽度的50％，以便提高可焊性。一种用于制造半导体封装的方法，包括提供引线框架阵列、安装芯片、形成模制封装、应用切割工艺或冲压工艺、应用镀覆工艺和应用单片化工艺的步骤。
来源：金融界
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