旺宏电子申请存储器元件及其制造方法专利，制造具有高容量与高性能的存储器元件
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2025-10-23 04:04:22
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金融界2025年8月8日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其制造方法”的专利，公开号CN120456557A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，本发明提供一种存储器元件及其制造方法。一种存储器元件，包括：堆叠结构、第二导体层、多个通道柱以及串选择线切割墙。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一绝缘层和多个第一导体层。第二导体层在所述堆叠结构上方。多个通道柱延伸穿过所述第二导体层和所述堆叠结构。每一个通道柱包括第一部分与第二部分。第一部分延伸穿过所述堆叠结构。第二部分位于所述第一部分上并延伸穿过所述第二导体层。第一部分的直径大于所述第二部分的直径。串选择线切割墙延伸穿过所述第二导体层并且设置在所述多个通道柱中的两个相邻通道柱的所述第二部分之间。此存储器元件可以应用于3D NAND闪存，以制造具有高容量与高性能的存储器元件。
来源：金融界
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