京东方申请薄膜晶体管及其制作方法专利，能够降低薄膜晶体管的关态漏电流_行业新闻

京东方申请薄膜晶体管及其制作方法专利，能够降低薄膜晶体管的关态漏电流

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2026-04-10 22:36:51

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国家知识产权局信息显示，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置”的专利，公开号CN121843199A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本公开提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。在一具体实施方式中，该薄膜晶体管包括：层叠设置的有源区、栅极绝缘层和栅极，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源区外围的有源扩展区，有源区的掺杂浓度小于有源扩展区的掺杂浓度，有源区在所述有源区、栅极绝缘层和栅极的层叠方向上的厚度大于有源扩展区在层叠方向上的厚度。本公开实施例的薄膜晶体管能够降低薄膜晶体管的关态漏电流。

天眼查资料显示，京东方科技集团股份有限公司，成立于1993年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3741388.0464万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方科技集团股份有限公司共对外投资了73家企业，参与招投标项目310次，财产线索方面有商标信息788条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可47个。

绵阳京东方光电科技有限公司，成立于2016年，位于绵阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2600000万人民币。通过天眼查大数据分析，绵阳京东方光电科技有限公司参与招投标项目782次，专利信息573条，此外企业还拥有行政许可180个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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