Si/SiO₂衬底二硫化钼（MoS₂）CVD二维薄膜
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2025-06-26 18:10:08
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Si/SiO₂衬底二硫化钼（MoS₂）
Si/SiO₂衬底因其加工成熟、成本低廉、易于图案化及兼容传统硅工艺，在二维材料研究中应用广泛。一般使用300 nm厚的SiO₂热氧化层覆盖在硅片表面，该厚度能增强光学对比度，便于在光学显微镜下识别单层或多层MoS₂薄膜。
在该衬底上，MoS₂薄膜常通过机械剥离或CVD沉积获得。机械剥离法可得到晶体质量很高的单层或少层MoS₂，而CVD法则便于大面积制备。与蓝宝石衬底相比，SiO₂表面无定向性，导致CVD生长的MoS₂呈多晶或多晶粒岛状分布。
尽管如此，Si/SiO₂衬底因其背电极（p型Si）可作为栅极、SiO₂可作栅介质，广泛应用于场效应晶体管（FET）等器件构建中。该平台也便于电学测试与后续功能器件开发，如光探测器、非线性电子器件、气体传感器等。因此，MoS₂@Si/SiO₂异质结构仍是二维电子学和纳电子器件研究的核心体系之一。
厚度（可订制）
0.3-0.9nm（近似单层）；1-1.5 nm（近似两层）
1.6-3nm（近似少层）；3nm以上（多层）
产地：西安瑞禧生物
包装：片装
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