金融界2025年6月30日消息,国家知识产权局信息显示,达尔科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利,公开号CN120221397A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明提供了一种半导体结构的制造方法。所述半导体结构的制造方法包括在半导体衬底上方形成磊晶层;在所述磊晶层上方形成第一图案化硬掩膜;通过所述第一图案化硬掩膜进行第一注入工艺,以在所述磊晶层中形成第一掺杂区;通过所述第一图案化硬掩膜进行第二注入工艺,以在所述磊晶层中形成第二掺杂区,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区至少部分重叠;形成围绕所述第一图案化硬掩膜且覆盖至少部分所述第一掺杂区的第二图案化硬掩膜;以及通过所述第二图案化硬掩膜进行第三注入工艺,以在所述磊晶层中形成第三掺杂区。
来源:金融界